施設はクラス100〜10000のクリーンルームとなっており集積回路・半導体デバイスの設計から試作、評価まで全てを行うための設備が揃っています。また、隣接するVBL1F機能集積化プロセス室とは渡り廊下を介して接続されており、VBLの共同利用設備も必要に応じて利用可能です。
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